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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種電子器件的制備方法及電子器件與流程
    本申請涉及微電子,尤其涉及一種電子器件的制備方法及電子器件。、目前,在微機(jī)電芯片以及集成電路傳感器制造中,涉及多種金屬等多種膜層沉積及其圖形化工藝,多種制造流程包括膜層沉積、光刻和刻蝕工藝,這些工藝完成后都需要濕法工藝清洗表面殘留物,隨著工藝設(shè)計及對其他結(jié)構(gòu)層限制的變化,對濕法清洗提出了更...
  • 納米管陣列制備方法、納米管陣列及器件
    本發(fā)明涉及納米材料制備及半導(dǎo)體,尤其涉及一種納米管陣列制備方法、納米管陣列及器件。、單壁碳納米管(以下簡稱碳管)可視作由石墨烯卷曲形成的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu),取決于卷曲方式(手性)不同,單壁碳管可展現(xiàn)為金屬性或半導(dǎo)體性。全半導(dǎo)體性、高密度(每微米根以上)平行排列的半導(dǎo)體性單壁碳管陣列,是構(gòu)筑高性能碳...
  • 一種高縱橫比的微納米椎體結(jié)構(gòu)的制作方法與流程
    本發(fā)明涉及l(fā)ed,具體涉及一種高縱橫比的微納米椎體結(jié)構(gòu)的制作方法。、表面微納米結(jié)構(gòu)粗化是提高led發(fā)光效率的重要手段,目前市場上商用的大功率led器件,在晶圓加工時大多都會進(jìn)行不同程度的粗化,比較常用的做法是使用koh溶液進(jìn)行腐蝕,形成金字塔形結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)縱橫比一般在.-之間,但無法精準(zhǔn)控...
  • 一種濕法腐蝕過程中芯片正面結(jié)構(gòu)的保護(hù)方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn),尤其是指一種濕法腐蝕過程中芯片正面結(jié)構(gòu)的保護(hù)方法。、mems(微機(jī)電系統(tǒng))表壓壓力傳感器因其小尺寸、高精度和高靈敏度等優(yōu)點,在工業(yè)自動化、汽車電子和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。該傳感器的核心結(jié)構(gòu)通過微加工技術(shù)在硅片上形成,其中背腔的深槽結(jié)構(gòu)起到至關(guān)重要的作用。然而,...
  • 一種改善生物打印芯片納米孔的絲狀凹坑缺陷的方法及納米孔與流程
    本申請涉及生物打印技術(shù)與mems工藝領(lǐng)域,特別涉及一種改善生物打印芯片納米孔的絲狀凹坑缺陷的方法及納米孔。、生物打印技術(shù)是集成生物學(xué)、材料學(xué)、醫(yī)學(xué)、計算機(jī)學(xué)的多學(xué)科交叉融合技術(shù),是一種以計算機(jī)三維模型為“圖紙”,裝配特制“生物墨水”,最終制造出人造器官和生物醫(yī)學(xué)產(chǎn)品的新科技手段。mems(...
  • 硅表面引線結(jié)構(gòu)的形成方法與流程
    本申請實施例涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種硅表面引線結(jié)構(gòu)的形成方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems,mems)是一種集成微型機(jī)械和電子組件的技術(shù),廣泛應(yīng)用于各種傳感器和執(zhí)行器中。在mems器件的設(shè)計與制造過程中,確保電信號的有效輸入\輸出至關(guān)重要。...
  • 一種微機(jī)電系統(tǒng)及其制造工藝的制作方法
    本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域,特別涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)及其制造工藝。、在進(jìn)行非制冷紅外探測器等微機(jī)電系統(tǒng)(mems)的制備時,需要在切割道區(qū)形成多個對準(zhǔn)標(biāo)記,并通過對準(zhǔn)標(biāo)記保證圖形區(qū)的刻蝕位置的準(zhǔn)確度。非制冷紅外探測器包括橋腿結(jié)構(gòu),橋腿結(jié)構(gòu)包括頂部的微測輻射熱計和錨柱,錨柱支撐微測輻射熱計使其懸...
  • 一種微機(jī)電系統(tǒng)的制作方法
    本申請主要涉及微機(jī)電系統(tǒng),特別是涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system),也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等,指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號處理和控...
  • MEMS傳感器、MEMS傳感器的制備方法及電子設(shè)備與流程
    本發(fā)明涉及微機(jī)電,更具體地,本發(fā)明涉及一種mems傳感器、mems傳感器的制備方法及電子設(shè)備。、mems傳感器是基于微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system)技術(shù)制造的結(jié)構(gòu),簡單的說,mems傳感器能夠利用半導(dǎo)體材料形成電容器,并將電容器集成在微...
  • 一種碘甲烷氣體檢測用微針陣列探測器的制作方法
    本發(fā)明屬于碘甲烷氣體檢測,具體涉及一種碘甲烷氣體檢測用微針陣列探測器。、碘甲烷是一種優(yōu)秀的制冷劑、溶劑以及推進(jìn)劑,得到了廣泛的應(yīng)用。但碘甲烷具有一定的生物毒性,而且曝露在高空的紫外光中時會釋放出碘原子,對臭氧層產(chǎn)生破壞,因此受到了人們的廣泛的關(guān)注。然而,目前還沒有便攜、快速、準(zhǔn)確的方法來檢...
  • 具有微機(jī)械構(gòu)件的殼體的制作方法
    本發(fā)明涉及一種具有微機(jī)械構(gòu)件的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明同樣涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。、圖示出了常規(guī)壓力傳感器的示意圖,其對申請人來說是已知的內(nèi)部現(xiàn)有技術(shù)。、在圖中示意性示出的常規(guī)壓力傳感器具有微機(jī)械構(gòu)件,該微機(jī)械構(gòu)件布置在由底板、固定在底板上的側(cè)面部分和固定在側(cè)面部分上的蓋件形成的殼體的內(nèi)部...
  • MEMS元件及壓電聲學(xué)設(shè)備的制作方法
    本技術(shù)涉及mems元件及壓電聲學(xué)設(shè)備。、當(dāng)前已知使用壓電體的mems(micro?electro?mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng))元件。在日本特開-號公報(專利文獻(xiàn))中,公開了一種具備膜的mems元件,所述膜具有在一對電極之間夾有壓電膜的構(gòu)造。、在先技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專...
  • 基于SPR與MIT技術(shù)的高精度化學(xué)芯片批量生產(chǎn)設(shè)備的制作方法
    本發(fā)明涉及芯片生產(chǎn)設(shè)備,尤其是基于spr與mit技術(shù)的高精度化學(xué)芯片批量生產(chǎn)設(shè)備。、表面等離子體共振(surface?plasmon?resonance,spr)是一種物理光學(xué)現(xiàn)象,其原理是指:當(dāng)光線由光密介質(zhì)照射到光疏介質(zhì)時,在入射角大于某個特定的角度時,界面會發(fā)生全反射現(xiàn)象。如果在兩種...
  • 平面電極及其引線方法與流程
    本發(fā)明屬于mems,涉及一種平面電極及其引線方法。、在mems(微機(jī)電系統(tǒng))封裝,引線封裝是連接mems傳感器或執(zhí)行器與外部電路的關(guān)鍵步驟。傳統(tǒng)的引線方案包括引線鍵合、焊接和點膠等技術(shù),這些方法雖然在實際應(yīng)用中已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可,但它們在某些應(yīng)用場景下存在顯著的局限性。、引線鍵合是...
  • 一種利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)干法刻蝕實現(xiàn)鈣鈦礦薄膜圖形化的方法與流程
    本發(fā)明屬于鈣鈦礦薄膜圖形化制備,具體涉及一種利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)干法刻蝕實現(xiàn)鈣鈦礦薄膜圖形化的方法。、鈣鈦礦材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數(shù)、低激子束縛能、長載流子壽命等優(yōu)勢,基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結(jié)構(gòu)材料也成為了新一代光電功能材料,在發(fā)光二極管、太陽能電池、阻變憶阻器...
  • 電感耦合等離子刻蝕技術(shù)制作鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法與流程
    本發(fā)明屬于鈣鈦礦陣列圖形化,具體涉及電感耦合等離子刻蝕技術(shù)制作鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法。、鹵化物鈣鈦礦(以下簡稱‘鈣鈦礦’)材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數(shù)、低激子束縛能、長載流子壽命等優(yōu)點,其中,基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結(jié)構(gòu)材料也成為了新一代光電功能材料,在發(fā)光二極管...
  • 雙面硅化合物接觸式掩膜板及其制備方法、利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦量子點圖形的方法與流程
    本發(fā)明屬于鈣鈦礦量子點圖形化,具體涉及雙面硅化合物接觸式掩膜板及其制備方法、利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦量子點圖形的方法。、量子點是由有限數(shù)目原子組成的三維尺度均在納米級別的新型材料,通常尺寸介于-?nm內(nèi)。傳統(tǒng)量子點主要由ii-vi族、iii-v族或iv-vi族元素構(gòu)成,如較為傳統(tǒng)的量子點...
  • 一種碳化硅微結(jié)構(gòu)及其受壓電阻變化測試平臺和搭建方法
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體微納加工測試,特別涉及一種碳化硅微結(jié)構(gòu)及其受壓電阻變化測試平臺和搭建方法。、碳化硅,作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,具有高熱導(dǎo)率,耐腐蝕,寬禁帶,高載流子遷移率等材料優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于微電子和微納傳感器等領(lǐng)域。在功率器件領(lǐng)域,碳化硅被作為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(m...
  • 壓電MEMS微鏡及制造方法
    本發(fā)明涉及微鏡,特別涉及一種壓電mems微鏡及制造方法。、壓電mems微鏡結(jié)合了壓電驅(qū)動和位置傳感功能,利用壓電材料在電場中產(chǎn)生應(yīng)力形變來驅(qū)動微鏡發(fā)生轉(zhuǎn)動,而為了實現(xiàn)對于轉(zhuǎn)動角度更精準(zhǔn)快速的反饋控制。、現(xiàn)有技術(shù)中壓電mems微鏡通常采用壓阻檢測的方式,首先在需要檢測旋轉(zhuǎn)的位置上埋入可變電阻...
  • 高溫MEMS器件高效引線方法與流程
    本發(fā)明屬于mems引線封裝,涉及一種高溫mems器件高效引線方法。、mems全稱micro?electromechanical?system,即微機(jī)電系統(tǒng),是一種結(jié)合了機(jī)械和電子技術(shù)的微小裝置,是微型機(jī)械加工工藝和半導(dǎo)體工藝相結(jié)合的產(chǎn)品。由于mems擁有小型化、低功耗、集成化、智能化等特點...
技術(shù)分類
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